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用導(dǎo)電原子力顯微鏡研究鍺硅量子點和量子環(huán)的

來源：生產(chǎn)全自動反沖洗過濾器廠家中乂(北京)科技有限公司日期：2022-02-01

以半導(dǎo)體量子點為代表的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)在光電子、微電子和單電子器件領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用前景,在硅襯底上自組織生長的GeSi量子點由于與成熟的硅集成電路工藝兼容而更具有特殊的意義,是當前的研究熱點之一。而量子點的量子物理特性是構(gòu)筑許多納米電子器件及單電子器件的基礎(chǔ),因而在納米尺度上研究單個量子點的電學(xué)性質(zhì)極為重要。導(dǎo)電原子力顯微鏡(CAFM)是近年來發(fā)展起來的一種掃描探針顯微鏡,它能同時得到樣品表面納米尺度的形貌信息和電學(xué)信息。因而CAFM可以用來表征單個量子點的微結(jié)構(gòu)及其物理特性,從而為材料的控制生長和應(yīng)用提供依據(jù)。本論文使用CAFM研究了自組織生長的GeSi量子點和GeSi量子環(huán)的形貌和電學(xué)性質(zhì),主要取得了以下結(jié)果:1、研究了樣品表面的自然氧化物對量子點電學(xué)性質(zhì)的影響。通過分析I-V特性曲線,根據(jù)針尖與量子點之間自然氧化物的存在與否將針尖與量子點間的接觸分為兩種類型

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